دانلود ترجمه مقاله طراحی گیت های منطقی اشمیت تریگر با استفاده از DTMOS
ترجمه فارسی مقاله طراحی گیت های منطقی اشمیت تریگر با استفاده از DTMOS
.
.
بخشی از ترجمه فارسی مقاله : طراحی گیت های منطقی اشمیت تریگر با استفاده از DTMOS |
این مقاله روشهای طراحی و بهینهسازی مدار دیجیتالی زیرآستانه را با استفاده از گیتهای منطقی اشمیت تریگر برای افزایش مصونیت الکترومغناطیسی ارائه میدهد. گیتهای منطقی اشمیت تریگر پیشنهادی بر اساس طراحی بافر با استفاده از ولتاژ دینامیکی MOS برای عملکردهای کمتوان ارائه شدند. با توسعه دادن گیت اشمیت تریگر به NAND یا NOR، ما میتوانیم بهطور چشمگیری مصونیت از نویز را با تغییر کم توان مصرفی و کاهش قابلتوجه حجم اشغالی در مقایسه با CMOSهای اشمیت تریگر مرسوم، درگستره افزایش ناچیز تاخیر، بهبود دهیم.
در سطح ترانزیستوری و مداری، بهبود عملکرد ایمنی مدار توسط معیار ISCAS 85 بررسی شده است. علاوه بر این، ما یک پارامتر برای تعیین مصونیت از نویز با در نظر گرفتن تقابل بین ایمنی و کارایی ارائه دادیم. با استفاده از پارامتر پیشنهادی، هیسترزیس بهینه میتواند برای کارایی قابل قبولی انتخاب شود. |
.
بخشی از مقاله انگلیسی : |
Design of Schmitt Trigger Logic Gates Using DTMOS for Enhanced Electromagnetic Immunity of Subthreshold Circuits |
This paper presents subthreshold digital circuit design and optimization method using Schmitt trigger logic gates for enhanced electromagnetic immunity. The proposed Schmitt trigger logic gates are based on a buffer design using dynamic thresholdvoltage MOS for low-power operation. By expanding the Schmitt trigger to NAND/NOR gate, we can dramatically improve the noise immunity with much lower switching power consumption and significant area reduction compared with CMOS Schmitt triggers, at the expense of a slight increase in delay.
Not only for the gate level, but also the circuit level immunity improvement is verified with ISCAS 85 benchmark. In addition, we propose a parameter to determine the optimal noise immunity considering the tradeoff between immunity and performance. By using the proposed parameter, optimal hysteresis can be chosen for the reasonable performance deterioration. |
.
مشخصات مقاله : | |
عنوان فارسی: طراحی گیت های منطقی اشمیت تریگر با استفاده از DTMOS برای افزایش مصونیت الکترومغناطیسی مدارهای زیرآستانه |
|
عنوان انگلیسی: Design of Schmitt Trigger Logic Gates Using DTMOS for Enhanced Electromagnetic Immunity of Subthreshold Circuits |
|
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 10 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : ۲۴ |
سال انتشار : ۲۰۱۵ | نشریه: آی تریپل ای – IEEE |
فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
کد محصول : 8976 | رفرنس : دارد |
محتوای فایل : zip | حجم فایل : 5.69Mb |
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق | |
گرایش های مرتبط با این مقاله: مدارهای مجتمع الکترونیک، بیوالکتریک، مهندسی الکترونیک و سیستم های قدرت |
|
مجله: یافته ها در حوزه سازگاری الکترومغناطیس – TRANSACTIONS ON ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY | |
دانشگاه: کالج اطلاعات و ارتباطات مهندسی، دانشگاه Sungkyunkwan، سوئون، کره جنوبی |
|
کلمات کلیدی: مدارهای دیجیتال، تداخل الکترومغناطیسی (EMI)، هیسترزیس، ایمنی، اشمیت تریگر | |
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول : ترجمه شده است | |
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول : ترجمه نشده است | |
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است |
مطالب مرتبط: |
دانلود مقالات برق با ترجمه فارسی دانلود مقالات الکترونیک با ترجمه فارسی |
.
پشتیبانی : | |
شما پس از انتخاب دکمه خرید در سایت کالج پروژه به سایت ایران عرضه جهت انجام مراحل خرید هدایت خواهید شد. | |
– تلفن ثابت: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱ – ساعات تماس: ۷ صبح الی ۱۸ عصر – آدرس ایمیل: iranarze.supt@gmail.com – تلگرام ایران عرضه: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – پیامک: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – آدرس: آذربایجان شرقی، مرند، خیابان کشاورزی، کوچه امین، پلاک ۳۰ – کد پستی: ۵۴۱۶۸۵۵۱۸۳ |
.
.