ترجمه مقالات الکترونیکترجمه مقالات برق
دانلود ترجمه مقاله طراحی و بهینه سازی مدارهای CMOS آستانه دوگانه با عملکرد بالا و ولتاژ پایین
ترجمه فارسی مقاله طراحی و بهینه سازی مدارهای CMOS آستانه دوگانه با عملکرد بالا و ولتاژ پایین
.
.
بخشی از ترجمه فارسی مقاله : طراحی و بهینه سازی مدارهای CMOS آستانه دوگانه با عملکرد بالا و ولتاژ پایین |
کاهش در توان نشت به یکی از بزگترین نگرانیها در کاربردهای ولتاژ پایین، توان پایین و عملکرد بالا تبدیل شده است. در این مقاله، ما از تکنیک آستانه دوگانه برای کاهش توان نشت با معین کردن ولتاژ آستانه بالا برای برخی ترانزیستورها در مسیرهای غیر-حیاتی و استفاده از ترانزیستورهای آستانه در مسیرهای حیاتی استفاده میکنیم. برای دستیابی به بهترین صرفه جویی توان نشت تحت قیدهای عملکرد هدف، الگوریتمی برای انتخاب و معین کردن یک ولتاژ آستانه بالای بهینه ارائه شده است.
یک مدل جریان نشت آماده به کار عمومی ، که توسط HSPICE تصدیق شده است؛ برای تخمین توان نشت آماده به کار استفاده میشود. نتایج نشان میدهند که تکنیک آستانه دوگانه برای کاهش توان درطی هردوی مدهای آماده به کار و فعال خوب میباشد. صرفه جویی توان نشت آماده به کار برای برخی معیارهای ISCAS میتواند بیش از ۵۰% باشند. |
.
بخشی از مقاله انگلیسی : |
Design and Optimization of Low Voltage High Performance Dual Threshold CMOS Circuits |
Reduction in leakage power has become an important concern in low voltage, low power and high performance applications. In this paper, we use dual threshold technique to reduce leakage power by assigning high threshold voltage to some transistors in non-critical paths, and using lowthreshold transistors in critical paths. In order to achieve the best leakage power saving under target performance constraints, an algorithm is presented for selecting and assigning an optimal high threshold voltage.
A general standby leakage current model which has been verified by HSPICE is used to estimate standby leakage power. Results show that dual threshold technique is good for power reduction during both standby and active modes. The standby leakage power savings for some ISCAS benchmarks can be more than 50%. |
.
مشخصات مقاله : | |
عنوان فارسی: طراحی و بهینه سازی مدارهای CMOS آستانه دوگانه با عملکرد بالا و ولتاژ پایین |
|
عنوان انگلیسی: Design and Optimization of Low Voltage High Performance Dual Threshold CMOS Circuits |
|
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 6 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : ۱۸ |
سال انتشار : 1998 | نشریه: ACM |
فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
کد محصول : 9001 | رفرنس : دارد |
محتوای فایل : zip | حجم فایل : 1.91Mb |
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق | |
گرایش های مرتبط با این مقاله: مدارهای مجتمع الکترونیک، مهندسی الکترونیک و مهندسی کنترل |
|
مجله: سی و پنجمین کنفرانس سالانه اتوماسیون طراحی – ۳۵th annual Design Automation Conference | |
دانشگاه: دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه پوردو، ایالات متحدده آمریکا |
|
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول : ترجمه شده است | |
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول : ترجمه نشده است | |
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است |
مطالب مرتبط: |
دانلود مقالات برق با ترجمه فارسی دانلود مقالات الکترونیک با ترجمه فارسی |
.
پشتیبانی : | |
شما پس از انتخاب دکمه خرید در سایت کالج پروژه به سایت ایران عرضه جهت انجام مراحل خرید هدایت خواهید شد. | |
– تلفن ثابت: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱ – ساعات تماس: ۷ صبح الی ۱۸ عصر – آدرس ایمیل: iranarze.supt@gmail.com – تلگرام ایران عرضه: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – پیامک: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – آدرس: آذربایجان شرقی، مرند، خیابان کشاورزی، کوچه امین، پلاک ۳۰ – کد پستی: ۵۴۱۶۸۵۵۱۸۳ |
.