ترجمه مقالات برق

دانلود ترجمه مقاله تقویت کننده توان کلاس F توان بالا ۰٫۸-۲٫۷GHz

ترجمه فارسی مقاله تقویت کننده توان کلاس F توان بالا ۰٫۸-۲٫۷GHz با تنظیم هارمونیکی و مدار جبران ساز پارازیتی 

مقاله ترجمه شده تقویت کننده توان کلاس F توان بالا ۰٫۸-۲٫۷GHz با تنظیم هارمونیکی و مدار جبران ساز پارازیتی مربوط به رشته مهندسی برق و درباره مهندسی الکترونیک، سیستم های قدرت، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی می باشد که هم اکنون می توانید مقاله انگلیسی بهمراه ترجمه فارسی آن را از سایت کالج پروژه دانلود نمایید.

 .

دانلود مقاله انگلیسی با ترجمه فارسی :
دانلود رایگان مقاله انگلیسی Design of 0.8–۲٫۷ GHz High Power Class-F Harmonic-Tuned Power Amplifier with Parasitic Compensation Circuit

خرید ترجمه فارسی مقاله تقویت کننده توان کلاس F توان بالا ۰٫۸-۲٫۷GHz با تنظیم هارمونیکی و مدار جبران ساز پارازیتی 

 .

بخشی از ترجمه فارسی مقاله :  تقویت کننده توان کلاس F توان بالا ۰٫۸-۲٫۷GHz با تنظیم هارمونیکی و مدار جبران ساز پارازیتی 
 طراحی، ساخت و اندازه گیری یک تقویت کننده قدرت توان بالا HEMT از جنس GaN پهنای گسترده با بازدهی بالا ارایه شده است. اثرات پارازیتی بسته با استفاده از یک مدار جدید جبران ساز به طور عمده کاهش داده می شود تا دقت تطبیق امپدانس افزایش یابد. یک ساختار بهبود یافته بر اساس ساختار کلاس Fمرسوم ارایه شده است که شامل همه ی هارمونیک های زوج و هارمونیک سوم کنترل شده به طور موثری است.

همچنین روش تطبیق امپدانس stepped impedance به شبکه کنترل هارمونیک سوم اعمال شده است تا تاثیر مثبتی روی گسترده کردن پهنای باند داشته باشد. ترانزیستور قدرت CGH40025F برای ساختن تقویت کننده توان مورد استفاده قرار گرفته است که در فرکانس های ۰٫۸-۲٫۷GHz کار می کند و توان اشباع اندازه گیری شده ۲۰-۵۰W است و بازدهی درین ۵۲%-۷۶% است و سطح بهره بالای ۱۰dB است.  سطوح کاهش یافته هارمونیک دوم و سوم به ترتیب در -۱۶ تا -۳۶dBc  و -۱۶ تا -۳۳dBc نگه داشته می شود. نتایج اندازه گیری شده و شبیه سازی تقویت کننده قدرت تطابق خوبی نشان می دهند.

 .

بخشی از مقاله انگلیسی :

 Design of 0.8–۲٫۷ GHz High Power Class-F Harmonic-Tuned Power Amplifier with Parasitic Compensation Circuit
 The design, implementation, and measurements of a high efficiency and high power wideband GaN HEMT power amplifier are presented. Package parasitic effect is reduced significantly by a novel compensation circuit design to improve the accuracy of impedance matching. An improved structure is proposed based on the traditional Class-F structure with all even harmonics and the third harmonic effectively controlled, respectively.

Also the stepped-impedance matching method is applied to the third harmonic control network, which has a positive effect on the expansion bandwidth. CGH40025F power transistor is utilized to build the power amplifier working at 0.8 to 2.7 GHz, with the measured saturated output power 20–۵۰ W, drain efficiency 52%–۷۶%, and gain level above 10 dB. The second and the third harmonic suppression levels are maintained at −۱۶ to −۳۶ dBc and −۱۶ to −۳۳ dBc, respectively. The simulation and the measurement results of the proposed power amplifier show good consistency.

 .

مشخصات مقاله :
عنوان فارسی: طراحی یک تقویت کننده توان کلاس F توان بالا ۰٫۸-۲٫۷GHz با تنظیم هارمونیکی و مدار جبران ساز پارازیتی
عنوان انگلیسی:  Design of 0.8–۲٫۷ GHz High Power Class-F Harmonic-Tuned Power Amplifier with Parasitic Compensation Circuit
تعداد صفحات مقاله انگلیسی :  9 تعداد صفحات ترجمه فارسی :  13
سال انتشار :  2017
نشریه:   هینداوی – Hindawi
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول :  7614
رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل :  3.32Mb
رشته های مرتبط با این مقاله:  مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله:  مهندسی الکترونیک، سیستم های قدرت، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی
مجله:  قطعات الکترونیکی فعال و منفعل – Active and Passive Electronic Components
دانشگاه:  دانشکده الکترونیک و اطلاعات، دانشگاه هانگزو دایانزی، چین
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول : ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول : ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است

 

دانلود مقاله انگلیسی با ترجمه فارسی :
دانلود رایگان مقاله انگلیسی Design of 0.8–۲٫۷ GHz High Power Class-F Harmonic-Tuned Power Amplifier with Parasitic Compensation Circuit

خرید ترجمه فارسی مقاله تقویت کننده توان کلاس F توان بالا ۰٫۸-۲٫۷GHz با تنظیم هارمونیکی و مدار جبران ساز پارازیتی 

 

مطالب مرتبط:

دانلود مقالات برق با ترجمه فارسی

دانلود مقالات الکترونیک با ترجمه فارسی

دانلود رایگان مقاله انگلیسی با ترجمه فارسی

 .

پشتیبانی :
شما پس از انتخاب دکمه خرید در سایت کالج پروژه به سایت ایران عرضه جهت انجام مراحل خرید هدایت خواهید شد.
– تلفن ثابت: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
– ساعات تماس: ۷ صبح الی ۱۸ عصر
– آدرس ایمیل: iranarze.supt@gmail.com
– تلگرام ایران عرضه: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴
– پیامک: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴
– آدرس: آذربایجان شرقی، مرند، خیابان کشاورزی، کوچه امین، پلاک ۳۰
– کد پستی: ۵۴۱۶۸۵۵۱۸۳

پشتیبانی و تیکت

سوالات متداول

پیگیری خرید

telegram.me/IranArze

 .

.

نوشته های مشابه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

دکمه بازگشت به بالا