ترجمه مقالات الکترونیکترجمه مقالات برق
دانلود ترجمه مقاله تقویت کننده کم نویز CMOS کاملا مجتمع
ترجمه فارسی مقاله تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع برای اپلیکیشن های استاندارد IEEE 802.11a
.
.
| بخشی از ترجمه فارسی مقاله : تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع برای اپلیکیشن های استاندارد IEEE 802.11a |
| در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع (LNA) با سلف های حلقوی روی تراشه در تکنولوژی ۰٫۱۸ میکرومتر CMOS برای اپلیکیشن های IEEE 802.11a ارایه شده است. استفاده از ساختار کسکد و شبکه امپدانس ورودی اصلاح شده همچنین تکنیک خنثی سازی سلف، مصرف توان LNA را به ۱۵٫۸ میلی وات کاهش داده است، درحالیکه گین توان ۱۷٫۸۲dB و ضریب ایزولاسیون معکوس -۵۸٫۳۷dB در فرکانس مرکزی ۵٫۵GHz دارد.
S11 وS22 به ترتیب برابر ۱۶٫۱dB – و ۳۲dB می باشد. LNA طراحی شده IIP3 برابر ۳dBm و عدد نویز(NF) کمتر از ۲٫۹dB در محدوده پهنای باند عملکرد دارد، همانطور که از شبیه سازی سطح ترانزیستوری با استفاده از دیزاین کیت TSMC RF CMOS 0.18µm نتیجه گرفته شده است. |
.
|
بخشی از مقاله انگلیسی : |
A Fully Integrated CMOS Low Noise Amplifier for IEEE 802.11a Standard Applications |
| In this paper, a fully integrated CMOS low noise amplifier (LNA) with on-chip spiral inductors in 0.18µm CMOS technology for IEEE 802.11a applications is presented. Using cascode topology and modified input impedance network as well as inductor neutralization technique, the LNA power dissipation is lowered to 15.8mW while having power gain of 17.82dB and reverse isolation factor of -58.37dB at centre frequency of 5.5GHz.
S11 and S22 are equal to -16.1dB and – 32dB, respectively. Designed LNA has IIP3 of +3dBm and less than 2.9dB noise figure (NF) in working band width, as resulted from transistor level simulation using TSMC RF CMOS 0.18 µm design kit. |
|
.
| مشخصات مقاله : | |
| عنوان فارسی: یک تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع برای اپلیکیشن های استاندارد IEEE 802.11a |
|
| عنوان انگلیسی: A Fully Integrated CMOS Low Noise Amplifier for IEEE 802.11a Standard Applications |
|
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : 11 |
| سال انتشار : 2011 | نشریه: آی تریپل ای – IEEE |
| فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
| کد محصول : 8437 | رفرنس : دارد |
| محتوای فایل : zip | حجم فایل : 2.34Mb |
| رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق | |
| گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، سیستم های قدرت و مدارهای مجتمع الکترونیک |
|
| مجله: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران – ۱۹th Iranian Conference on Electrical Engineering | |
| دانشگاه: گروه مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سهند، تبریز، ایران |
|
| کلمات کلیدی: RF CMOS LNA، تقویت کننده کم نویز، RF-front end، باند فوق عریض (UWB)، خنثی سازی القایی |
|
| وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول : ترجمه شده است | |
| وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول : ترجمه نشده است | |
| وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است | |
| مطالب مرتبط: |
|
دانلود مقالات برق با ترجمه فارسی دانلود مقالات الکترونیک با ترجمه فارسی |
.
| پشتیبانی : | |
| شما پس از انتخاب دکمه خرید در سایت کالج پروژه به سایت ایران عرضه جهت انجام مراحل خرید هدایت خواهید شد. | |
| – تلفن ثابت: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱ – ساعات تماس: ۷ صبح الی ۱۸ عصر – آدرس ایمیل: iranarze.supt@gmail.com – تلگرام ایران عرضه: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – پیامک: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – آدرس: آذربایجان شرقی، مرند، خیابان کشاورزی، کوچه امین، پلاک ۳۰ – کد پستی: ۵۴۱۶۸۵۵۱۸۳ |
|
.
