دانلود ترجمه مقاله سنتز لایه های اتمی MoS2 دو بعدی با رسوب دهی شیمیایی بخار
ترجمه فارسی مقاله سنتز لایه های اتمی MoS2 دو بعدی در مقیاس بزرگ با روش رسوب دهی شیمیایی بخار
.
.
| بخشی از ترجمه فارسی مقاله : سنتز لایه های اتمی MoS2 دو بعدی در مقیاس بزرگ با روش رسوب دهی شیمیایی بخار |
| به عنوان یکی از دی کالگونیدهای فلزات واسطه ۲ بعدی، مولیبدنیوم دی سولفید نازک اتمی (MoS2) در کاربردهای میکرو و نانوالکترونیک، توجه تحقیق را به خود جلب کرده است. در این راستا تلاشهایی در جهت توسعه شیوه های مختلف دستیابی به MoS2 لایه اتمی صورت گرفته است که از این جمله می توان به پوسته پوسته شدن، سنتز شیمیایی و فرایندهای رسوب دهی فیزیکی یا شیمیایی بخار (CVD) اشاره نمود.
در این مقاله، رشد CVD بدون هیدروژن و بدون پرومتر برای سنتز لایه های اتمی MoS2 در مقیاس بزرگ را گزارش می کنیم. از تکنیک های گوناگونی مثل میکروسکوپی نوری (OM)، میکروسکوپی نیروی اتمی (AFM)، نگاشت فوتولومینسانس (PL)، طیف بینی فوتوالکترونی اشعه x و رامان (XPS)، میکروسکوپی الکترونی با وضوح بالا (HREM) ، و میکروسکوپی الکترون روبشی عبوری (STEM) برای توصیف کیفیت فیلم، یکنواختی و تعداد لایه استفاده گردید. لایه های اتمی MoS2 در اندازه سانتی متر با کیفیت بالا شرح داده شدند، آنها بنیانی برای توسعه پلتفرم ماده ای در اندازه ویفر برای ساخت و تولید وسیله تشکیل می دهند. |
.
|
بخشی از مقاله انگلیسی : |
Synthesis of large-scale 2-D MoS2 atomic layers by hydrogen-free and promoter-free chemical vapor deposition |
| As one of the two-dimensional (2-D) transition metal dichalcogenides, atomically thin molybdenum disulfide (MoS2) has attracted significant attention and research interests for micro and nanoelectronic applications. Significant efforts have been made to develop different approaches in order to obtain atomic layer MoS2, such as exfoliation, chemical synthesis, and physical or chemical vapor deposition (CVD) processes.
In this paper, we report a hydrogen-free and promoter-free CVD growth to synthesize large-area MoS2 atomic layers. A variety of techniques including optical microscopy (OM), atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL) mapping, Raman and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), high resolution electron microscopy (HREM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) were applied to characterize the film quality, uniformity and layer numbers. High quality centimeter-sized MoS2 atomic layers were demonstrated, which form a foundation to develop wafer-sized material platform for device fabrication and production. |
|
.
| مشخصات مقاله : | |
| عنوان فارسی: سنتز لایه های اتمی MoS2 دو بعدی در مقیاس بزرگ با روش رسوب دهی شیمیایی بخار بدون هیدروژن و پرومتر |
|
| عنوان انگلیسی: Synthesis of large-scale 2-D MoS2 atomic layers by hydrogen-free and promoter-free chemical vapor deposition |
|
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : ۸ |
| سال انتشار : 2016 | نشریه: الزویر – Elsevier |
| فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
| کد محصول : 381 | رفرنس : دارد |
| محتوای فایل : zip | حجم فایل : 2.47Mb |
| رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق، مهندسی مواد و شیمی |
|
| گرایش های مرتبط با این مقاله: نانو مواد، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، نانو شیمی و شیمی کاربردی | |
| مجله: اسناد مواد – Materials Letters | |
| دانشگاه: مهندسی برق، دانشکده مهندسی و علوم کامپیوتری، ایالات متحده آمریکا |
|
| کلمات کلیدی: مولیبدنیوم دی سولفید، رسوب دهی شیمیایی بخار، اندازه ویفر، ماده دو بعدی، دی کالگونیدهای فلزات واسطه | |
| وضعیت ترجمه عناوین تصاویر : ترجمه شده است | |
| وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر : ترجمه نشده است | |
| وضعیت ترجمه منابع داخل متن: درج نشده است | |
| doi یا شناسه دیجیتال: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2015.12.068 | |
| مطالب مرتبط: |
|
دانلود مقالات برق با ترجمه فارسی دانلود مقالات شیمی با ترجمه فارسی دانلود مقالات الکترونیک با ترجمه فارسی دانلود مقالات مهندسی مواد با ترجمه فارسی |
.
| پشتیبانی : | |
| شما پس از انتخاب دکمه خرید در سایت کالج پروژه به سایت ایران عرضه جهت انجام مراحل خرید هدایت خواهید شد. | |
| – تلفن ثابت: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱ – ساعات تماس: ۷ صبح الی ۱۸ عصر – آدرس ایمیل: iranarze.supt@gmail.com – تلگرام ایران عرضه: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – پیامک: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – آدرس: آذربایجان شرقی، مرند، خیابان کشاورزی، کوچه امین، پلاک ۳۰ – کد پستی: ۵۴۱۶۸۵۵۱۸۳ |
|
.
