دانلود ترجمه مقاله طرح n-MOSFET برای مدار ادغام یافته مقاوم به تابش
ترجمه فارسی مقاله طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش
.
.
| بخشی از ترجمه فارسی مقاله : طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش |
| یک طرح (DGA n-MOSFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی نوع – n با کمک گیت ساختگی به منظور نشان دادن اثربخشی آن در کاهش جریان های نشتی ناشی از تابش در یک n-MOSFET معمولی ارزیابی می شود. در طرح DGA n-MOSFET ارائه شده، جریان های نشتی ناشی از تابش با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه ای با استفاده از یک لایه p + و گیت های ساختگی حل و فصل می شوند.
علاوه بر این، انتظار بر این است که گیت های ساختگی و لایه های فلز-۱ ساختگی به دام انداختن بار در اکسیدهای پوشه ای را جبرانسازی کنند. ساختار ذاتی DGA n-MOSFET معایب ترانزیستور طرح محصور را تکمیل می کند، که به منظور بهبود مشخصات تحمل تابش ارائه شده است. نتایج شبیه سازی از طرح DGA n-MOSFET نشان دهنده اثربخشی حذف چنین مسیرهای جریان نشت ناشی از تابش است. علاوه بر این نتایج تجربی به دست آمده از قرار گرفتن در معرض تابش با طرح DGA n-MOSFET ساخته شده نیز نشان دهنده عملکرد خوب با توجه به تحمل دوز یونیزه کلی است. |
.
|
بخشی از مقاله انگلیسی : |
Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit |
| A dummy gate-assisted n-type metal oxide semiconductor field effect transistor (DGA n-MOSFET) layout was evaluated to demonstrate its effectiveness at mitigating radiation-induced leakage currents in a conventional n-MOSFET. In the proposed DGA n-MOSFET layout, radiation-induced leakage currents are settled by isolating both the source and drain from the sidewall oxides using a layer and dummy gates. Moreover, the dummy gates and dummy Metal-1 layers are expected to suppress the charge trapping in the sidewall oxides.
The inherent structure of the DGA n-MOSFET supplements the drawbacks of the enclosed layout transistor, which is also proposed in order to improve radiation tolerance characteristics. The simulation results of the DGA n-MOSFET layout demonstrated the effectiveness of eliminating such radiation-induced leakage current paths. Furthermore, the radiation exposure experimental results obtained with the fabricated DGA n-MOSFET layout also exhibited good performance with regard to the total ionizing dose tolerance. |
|
.
| مشخصات مقاله : | |
| عنوان فارسی: طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش |
|
| عنوان انگلیسی: Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit |
|
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : 17 |
| سال انتشار : 2013 |
نشریه: آی تریپل ای – IEEE |
| فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
| کد محصول : 7783 |
رفرنس : دارد |
| محتوای فایل : zip | حجم فایل : 2.45Mb |
| رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق | |
| گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک و الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی |
|
| مجله: تراکنش ها در علوم هسته ای – TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE |
|
| دانشگاه: بخش مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق و علوم کامپیوتری، موسسه پیشرفته علم و صنعت، کره |
|
| کلمات کلیدی: طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی، اصلاح طرح، سخت شدن تابش، جریان نشتی ناشی از تابش، دوز یونیزه کلی |
|
| وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول : ترجمه نشده است | |
| وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول : ترجمه نشده است | |
| مطالب مرتبط: |
|
دانلود مقالات برق با ترجمه فارسی دانلود مقالات الکترونیک با ترجمه فارسی |
.
| پشتیبانی : | |
| شما پس از انتخاب دکمه خرید در سایت کالج پروژه به سایت ایران عرضه جهت انجام مراحل خرید هدایت خواهید شد. | |
| – تلفن ثابت: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱ – ساعات تماس: ۷ صبح الی ۱۸ عصر – آدرس ایمیل: iranarze.supt@gmail.com – تلگرام ایران عرضه: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – پیامک: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴ – آدرس: آذربایجان شرقی، مرند، خیابان کشاورزی، کوچه امین، پلاک ۳۰ – کد پستی: ۵۴۱۶۸۵۵۱۸۳ |
|
.
.
